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1万亿次写入寿命 传三星1Gb eMRAM内存良率已达90%

今年3月份,三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),基于28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺,内存容量8Mb。

今年3月份,三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),基于28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺,内存容量8Mb,可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。


 

MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存,当同时又是非易失性的,也就是可以断电保存数据,综合了传统内存、闪存的有点。

三星量产的eMRAM内存是基于磁阻的存储,扩展性非常好,在非易失性、随机访问、寿命耐久性等方面也远胜传统RAM。由于不需要在写入数据前进行擦除循环,eMRAM的写入速度可以达到eFlash的大约一千倍,而且电压、功耗低得多,待机状态下完全不会耗电,因此能效极高。

在8Mb eMRAM内存之后,三星最近已经开始生产1Gb容量的eMRAM内存,依然使用了28nm FD-SOI工艺,最新良率已经达到了90%,使得eMRAM内存实用性大大提升。

尽管1Gb的容量、性能依然远不如现在的内存及闪存,但是eMRAM内存超强的寿命、可靠性是其他产品不具备的,这款eMRAM内存在105°C高温下依然能够擦写1亿次,85°C高温下寿命高达100亿次。

如果不是那么苛刻的温度环境,而是日常使用环境,那么eMRAM内存的擦写次数高达1万亿次,已经没可能写死了。

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